已建立了圖形化結(jié)構(gòu)納米材料透明導(dǎo)電薄膜完整的工藝鏈及中試生產(chǎn),、建有千級(jí)局部百級(jí)的超級(jí)凈化車間。正在南通105畝制造基地建設(shè)全自動(dòng)產(chǎn)線,，從中小尺寸（<32吋）,、中大尺寸（32吋-65吋）到大尺寸（75吋-86吋）,，2020年初，建立超過(guò)百萬(wàn)平米產(chǎn)能,。從光學(xué)模擬,、pattern設(shè)計(jì)、模具制備,、核心材料,、自動(dòng)化設(shè)備產(chǎn)線、TP模組,、OC全貼合,、整機(jī)調(diào)試全流程in house。
圖形化直寫系統(tǒng),，應(yīng)用空間光調(diào)制（SLM）技術(shù)和位相調(diào)制（PL M）技術(shù),，實(shí)現(xiàn)亞微米直寫光刻，可達(dá)0.5um解析度和100nm套刻,。 在應(yīng)用中省去了繁瑣的掩膜加工步驟,，相比單束直寫具有效率高、技術(shù)先進(jìn),、應(yīng)用靈活等特點(diǎn),。 100nm-100um精度的直寫取代了部分電子束光刻和傳統(tǒng)紫外光刻， 支持2-98英寸的寫入面積,，為專用集成電路,、平板顯示、微機(jī)電系統(tǒng),、微光學(xué),、微流體、傳感器,、計(jì)算機(jī)產(chǎn)生全息圖以及所有其他應(yīng)用需要進(jìn)行掩膜和微結(jié)構(gòu)圖形的快速制造的場(chǎng)所,，提供了完美解決方案。 在多年的高端微納制造裝備的研發(fā)中積累許多核心技術(shù)，這些核心技術(shù)有力保障了在高端微納制造裝備領(lǐng)域讓我們走在世界的前列,。
納米壓印領(lǐng)域進(jìn)行了長(zhǎng)達(dá)10余年的研究與開(kāi)發(fā),，從最初的平壓平納米壓印拼板設(shè)備、卷對(duì)卷熱壓設(shè)備,、到目前UV 卷對(duì)卷納米壓印設(shè)備,。 UV R2R納米壓印有兩種模式：第一、卷對(duì)卷UV納米壓印模式,，主要用于微納光學(xué)薄膜,、柔性微納米襯底的批量復(fù)制制造。 第二,，滾壓平納米壓印模式,，在平面上步進(jìn)滾壓，實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)在平面基材上的重復(fù)性復(fù)制,，主要用于大幅面模具制備,。 UV納米壓印設(shè)備配有精密涂布上膠、精密壓力傳感和溫度傳感控制,、UV光強(qiáng)調(diào)節(jié)系統(tǒng),，可精密控制壓印速度、張力和成型品質(zhì),，具有很好的基材適應(yīng)性,，適合在塑性基材上直接納米壓印，效率高,、成本低,、變形量小，同時(shí),，建有PET材料表面處理制程,。